旋片真空泵在半導體刻蝕工（gōng）藝中的應用（yòng）的目的是把經曝光、顯影後光刻膠微圖形中（zhōng）下層材（cái）料的（de）裸露（lù）部分去掉，即在下層材料上重現與光刻膠相同的圖形（xíng）。刻蝕是半導體（tǐ）製造工藝，微電子IC製造工藝以及微納製造工藝中的一種相當重要的（de）步（bù）驟。是與光（guāng）刻相聯係的圖形化處理的（de）一種主要工藝。所謂（wèi）刻蝕，實（shí）際上狹義理解就是光刻（kè）腐蝕，先通過（guò）光刻將光（guāng）刻膠進行光刻曝光處理，然後通過其它方式實現腐蝕處理掉所需除（chú）去的部分。隨（suí）著微製造工藝的發展（zhǎn），廣義上來講，刻蝕成了通過溶液、反應離子或其它機械方式來剝離、去除材（cái）料的一種統稱，成為（wéi）微加工製（zhì）造的一種普適（shì）叫法。

下麵分別介紹Si3N4刻蝕的流程：

半導體刻蝕工藝之Si3N4刻蝕：

在903E刻蝕機中刻蝕，刻蝕機內通入的氣體有：CF4、NF3、He。氟遊離基的作（zuò）用是使氮化矽被腐蝕，生成物是氣體，被旋（xuán）片真空泵（bèng）抽氣抽走。為了加快腐蝕速率可以在（zài）CF4中（zhōng）加入少量氧氣（5%-8%），因為氧能夠抑製F*在反應腔壁的損失，並且：CF4+O2→F* +O*+COF*+COF2+CO+…… （電離）。COF*壽命較長，當它運動到矽片（piàn）表麵時發（fā）生（shēng）以下反應從而加速了腐（fǔ）蝕速率：COF*→F* CO （電離（lí）），但是（shì）氧氣加多了要腐蝕光刻膠降低選擇比。

刻蝕是微細加工技術的一個重要組成部分，微電（diàn）子學的快速發展推動其不斷向前。從總體上來說，刻蝕技術可（kě）分為幹法刻蝕和濕法刻（kè）蝕兩種，初期的刻蝕以濕法刻蝕為主，但隨著器件製作進入微米、亞微米時代（dài），濕（shī）法刻蝕難以滿足越來越高的（de）精度要求。幹法刻蝕技術得以很大進展。幹法刻（kè）蝕一般為通過物理和化學兩個方麵相結（jié）合的辦法來去除被刻蝕的薄膜，因此刻蝕具有各向（xiàng）異性，這就可以從根本上改善濕法（fǎ）所固有的橫向鑽蝕問題，從而滿足微細線（xiàn）條刻蝕的要求。常用的刻蝕方法有很（hěn）多，旋片真空技術是（shì）其（qí）中的一種。半導（dǎo）體刻蝕工藝用旋片真空泵具有刻速快、選擇比高、各（gè）向異性高、刻（kè）蝕損傷小（xiǎo）、大麵積均勻性好、刻蝕斷麵（miàn）輪廓可控性（xìng）高和刻蝕表麵平整光滑等優（yōu）點，近年來（lái），德國旋（xuán）片真空泵被廣泛應用在矽（guī）、二氧化矽、Ⅲ-Ⅴ族化合物等材料的刻蝕上，取得了很好的刻蝕效（xiào）果，可以滿足製作超大規模（mó）集成電路、MEMS、光電子器件等各種微結構（gòu）器件的（de）要求（qiú）。

通過旋片真空泵在半導（dǎo）體刻蝕工藝中的應用這個實例，可以（yǐ）反映出（chū）隨著人們對（duì）香蕉污视频旋片真空（kōng）泵的進一步了（le）解和設備的（de）進一步完善，真空技術會更加適應刻蝕多樣化（huà）的要求，從而被（bèi）越來越（yuè）多地應用到器件製作工（gōng）藝中去，成為（wéi）刻蝕的主（zhǔ）流技術，從整體上提高器件的製備水平，進一步促進器件水平的提高、結構的（de）更（gèng）新和集成度的提高，更好地獲得一個很好的效果。